CSD23382F4T

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PICOSTAR-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

12 V

Id-連続ドレイン電流：

3.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

199 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

800 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

800 mV

Qg-ゲートチャージ：

1.04 nC

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.35 mm

長さ：

1 mm

シリーズ：

CSD23382F4

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

幅：

0.64 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3.4 S

立ち下がり時間：

41 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

25 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

66 ns

典型的なターンオン遅延時間：

28 ns

単位重量：

0.000014 oz

Tags

CSD2338, CSD233, CSD23, CSD2, CSD