BSS123,215

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

150 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

6 Ohms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

250 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

3 mm

製品：

MOSFET小信号

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Trench MOS Transistor

幅：

1.4 mm

ブランド：

Nexperia

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

パーツ番号エイリアス：

BSS123 T/R

単位重量：

0.000282 oz

Tags

BSS123, BSS12, BSS1, BSS