NTHD3102CT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

ChipFET-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

5.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

45 mOhms, 80 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

8 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

600 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.05 mm

長さ：

3.05 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTHD3102C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.65 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

7.7 S, 5.9 S

立ち下がり時間：

15.9 ns, 16.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

15.9 ns, 16.9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

16.4 ns, 15.7 ns

典型的なターンオン遅延時間：

7.2 ns, 6.4 ns

単位重量：

0.002998 oz

Tags

NTHD3102CT, NTHD3102, NTHD310, NTHD3, NTHD, NTH