UMD6NTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN、PNP

一般的な入力抵抗：

4.7 kOhms

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TUMT-6

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

ピークDCコレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMD6N

包装：

リール

DC電流ゲインhFEMax：

600

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

幅：

1.25 mm

ブランド：

ロームセミコンダクター

チャネル数：

2 Channel

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

UMD6N

単位重量：

0.001235 oz

Tags

UMD6NTR, UMD6NT, UMD6N, UMD6, UMD