BSD214SN H6327

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

111 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

700 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

800 pC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW (1/2 W)

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

BSD214

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4 S

開発キット：

-

立ち下がり時間：

1.4 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.8 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

6.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.1 ns

パーツ番号エイリアス：

BSD214SNH6327XT BSD214SNH6327XTSA1 SP000917656

単位重量：

0.000265 oz

Tags

BSD214SNH, BSD214S, BSD214, BSD21, BSD2, BSD