MRF9045LR1

製品属性

属性値

メーカー：

Advanced Semiconductor、Inc。

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

4.25 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

65 V

利得：

18.8 dB

出力電力：

60 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

NI-360

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

945 MHz

タイプ：

RFパワーMOSFET

ブランド：

Advanced Semiconductor、Inc。

フォワード相互コンダクタンス-最小：

3 S

Pd-消費電力：

117 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

15 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4.8 V

単位重量：

0.032480 oz

Tags

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