NJVMJB45H11T4G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

D2PAK-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 1 V

最大DCコレクタ電流：

- 20 A

ゲイン帯域幅積fT：

40 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MJB45H11

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 10 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

60 at - 2 A, - 1 V

Pd-消費電力：

50 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

800

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NJVMJB, NJVM, NJV