CSD87503Q3ET

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSON-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

10 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17.3 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

42.8 nC, 42.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

15.6 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

シリーズ：

CSD87503Q3E

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

24 S, 24 S

立ち下がり時間：

8 ns, 8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns, 40 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

25 ns, 25 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns, 10 ns

Tags

CSD8750, CSD875, CSD87, CSD8, CSD