DMG4511SK4-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

35 V

Id-連続ドレイン電流：

5.3 A, 5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

65 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

18.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.54 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

DMG4511

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

ブランド：

組み込まれたダイオード

フォワード相互コンダクタンス-最小：

4.5 S

立ち下がり時間：

35.6 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

2.8 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

33.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

5.4 ns

Tags

DMG45, DMG4, DMG