NSS12501UW3T2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WDFN-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

12 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

12 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

5 A

ゲイン帯域幅積fT：

150 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

NSS12501UW3

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

包装：

リール

幅：

2 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200

Pd-消費電力：

1500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000339 oz

Tags

NSS125, NSS12, NSS1, NSS