NTR3A30PZT1G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

3 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

73 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

400 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

1.8 V

Qg-ゲートチャージ：

17.6 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.58 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

NTR3A30PZ

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

30 S

立ち下がり時間：

552 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

208 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

1043 ns

典型的なターンオン遅延時間：

100 ns

単位重量：

0.000282 oz

Tags

NTR3A, NTR3, NTR