2SA1417T-TD-E

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PCP-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 0.22 V

最大DCコレクタ電流：

- 3 A

ゲイン帯域幅積fT：

120 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2SA1417

DC電流ゲインhFEMax：

400

包装：

リール

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

- 2 A

Pd-消費電力：

500 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

2SA1417, 2SA141, 2SA14, 2SA1, 2SA