CSD17313Q2Q1T

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

WSON-FET-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

24 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V, 8 V

Qg-ゲートチャージ：

2.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

17 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

資格：

AEC-Q101

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2 mm

シリーズ：

CSD17313Q2Q1

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

2 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

16 S

立ち下がり時間：

1.3 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

3.9 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

4.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.8 ns

Tags

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