NGTB40N65IHRTG

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

IGBTトランジスタ

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

パッケージ/ケース：

TO-3P

取り付けスタイル：

スルーホール

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

650 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.55 V

25℃での連続コレクタ電流：

80 A

Pd-消費電力：

405 W

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 175 C

包装：

チューブ

ブランド：

オン・セミコンダクター

ゲートエミッタリーク電流：

100 nA

製品タイプ：

IGBTトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

IGBT

単位重量：

0.194007 oz

Tags

NGTB40N65I, NGTB40N65, NGTB40N6, NGTB40, NGTB4, NGTB, NGT