PSMN0R9-25YLDX

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

E

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

LFPAK56-5

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

300 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

720 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

89.8 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

238 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

27.9 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

42 ns

ファクトリーパックの数量：

1500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

39.2 ns

典型的なターンオン遅延時間：

37.9 ns

Tags

PSMN0R9-2, PSMN0R9, PSMN0R, PSMN0, PSMN, PSM