TP65H050WS

製品属性

属性値

メーカー：

トランスフォム

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

GaN Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

650 V

Id-連続ドレイン電流：

36 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

60 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3.3 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

24 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

119 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

トランスフォム

立ち下がり時間：

11 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

86 ns

典型的なターンオン遅延時間：

51 ns

Tags

TP65H, TP65, TP6