UMG7NTR

製品属性

属性値

メーカー：

ロームセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-プリバイアス

JBoss：

Y

構成：

デュアル

トランジスタの極性：

NPN

一般的な入力抵抗：

10 kOhms

典型的な抵抗比：

10

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

UMT-5

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

100

最大動作周波数：

250 MHz

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

連続コレクタ電流：

100 mA

Pd-消費電力：

150 mW

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

UMG7N

包装：

リール

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

ブランド：

ロームセミコンダクター

最大DCコレクタ電流：

100 mA

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ-プリバイアス

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

UMG7N, UMG7, UMG