DST857BDJ-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-963-6

トランジスタの極性：

PNP

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

- 45 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

- 50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

- 5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

- 500 mV

最大DCコレクタ電流：

- 100 mA

ゲイン帯域幅積fT：

340 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

DST857

DC電流ゲインhFEMax：

470

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

- 100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at - 2 mA, - 5 V

Pd-消費電力：

300 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

DST8, DST