CGH60015D-GP4

CGH60015D-GP4
Mfr. #:
CGH60015D-GP4
メーカー:
N/A
説明:
RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
ライフサイクル:
メーカー新製品
データシート:
CGH60015D-GP4 データシート
配達:
DHL FedEx Ups TNT EMS
支払い:
T/T Paypal Visa MoneyGram Western Union
ECAD Model:
詳しくは:
CGH60015D-GP4 詳しくは
製品属性
属性値
メーカー:
Cree、Inc。
製品カテゴリ:
RFJFETトランジスタ
JBoss:
Y
トランジスタタイプ:
HEMT
テクノロジー:
GaN
利得:
15 dB
トランジスタの極性:
Nチャネル
Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧:
120 V
Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧:
- 10 V to 2 V
Id-連続ドレイン電流:
1.5 A
出力電力:
15 W
最大ドレインゲート電圧:
-
最低動作温度:
-
最高作動温度:
-
Pd-消費電力:
-
取り付けスタイル:
SMD / SMT
パッケージ/ケース:
死ぬ
包装:
ワッフル
応用:
-
構成:
独身
高さ:
100 um
長さ:
1.06 mm
動作周波数:
4 GHz to 6 GHz
動作温度範囲:
-
製品:
GaN HEMT
幅:
920 um
ブランド:
Wolfspeed / Cree
ゲート-ソースカットオフ電圧:
-
クラス:
-
開発キット:
-
立ち下がり時間:
-
NF-雑音指数:
-
P1dB-圧縮ポイント:
-
製品タイプ:
RFJFETトランジスタ
Rds On-ドレイン-ソース抵抗:
1 Ohms
立ち上がり時間:
-
ファクトリーパックの数量:
10
サブカテゴリ:
トランジスタ
典型的なターンオフ遅延時間:
-
Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧:
- 3 V
Tags
CGH600, CGH60, CGH6, CGH
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Step1: Vacuum Packaging with PL
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Vacuum Packaging with PL
Step2: Anti-Static Bag
Step2:
Anti-Static Bag
Step3: Packaging Boxes
Step3:
Packaging Boxes
***fspeed SCT
Aerospace & Defense, 28 V, 6 GHz, 15W, Die, RoHS
***i-Key
RF MOSFET HEMT 28V DIE
***fspeed
15-W; 6.0-GHz; GaN HEMT Die
***ical
Trans JFET 84V 15A GaN
***hardson RFPD
RF POWER TRANSISTOR
GaN HEMTs
Cree GaN (Gallium Nitride) HEMTs (High Electron Mobility Transistors) offers greater power density and wider bandwidths compared to Si and GaAs transistors. GaN has superior properties compared to silicon or gallium arsenide, including higher breakdown voltage, higher saturated electron drift velocity, and higher thermal conductivity.
モデル メーカー 説明 ストック 価格
CGH60015D-GP4
DISTI # CGH60015D-GP4-ND
WolfspeedRF MOSFET HEMT 28V DIE
RoHS: Compliant
Min Qty: 10
Container: Tray
On Order
  • 10:$41.6300
CGH60015D-GP4
DISTI # 941-CGH60015D
Cree, Inc.RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 15 Watt
RoHS: Compliant
0
  • 10:$46.7100
CGH60015D-GP4
DISTI # CGH60015D-GP4
WolfspeedRF POWER TRANSISTOR
RoHS: Compliant
0
  • 50:$43.5200
画像 モデル 説明
CGH60030D-GP4

Mfr.#: CGH60030D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60030D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 30 Watt
CGH60008D-GP4

Mfr.#: CGH60008D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60008D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-6.0GHz, 8 Watt
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4

RF JFET Transistors GaN HEMT Die DC-18GHz, 6 Watt
CGH60008D-GP4

Mfr.#: CGH60008D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60008D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V DIE
CGH60030D-GP4

Mfr.#: CGH60030D-GP4

OMO.#: OMO-CGH60030D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 28V DIE
CGHV1J006D-GP4

Mfr.#: CGHV1J006D-GP4

OMO.#: OMO-CGHV1J006D-GP4-WOLFSPEED

RF MOSFET HEMT 40V DIE
可用性
ストック:
Available
注文中:
4500
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