SIZF906DT-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAIR-6x5-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

3 mOhms, 900 uOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

- 16 V, 20 V

Qg-ゲートチャージ：

49 nC, 200 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

38 W, 83 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

シリーズ：

SIZ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

130 S, 130 S

立ち下がり時間：

40 ns, 30 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

80 ns, 60 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

20 ns, 65 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns, 45 ns

Tags

SIZF90, SIZF9, SIZF, SiZ