TSM200N03DPQ33 RGG

製品属性

属性値

メーカー：

台湾積体電路

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PDFN33-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

20 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

17 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

4.1 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

20 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

トランジスタタイプ：

デュアルNチャネルPowerMOSFET

ブランド：

台湾積体電路

フォワード相互コンダクタンス-最小：

13 S

立ち下がり時間：

4.6 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

7.2 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

15.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2.8 ns

Tags

TSM20, TSM2, TSM