SD1275

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

シリーズ：

SD1275

トランジスタタイプ：

バイポーラパワー

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

20

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

16 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

4 V

連続コレクタ電流：

8 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

M135

包装：

バルク

コレクター-ベース電圧VCBO：

36 V

DC電流ゲインhFEMax：

20 at 250 mA at 5 V

高さ：

19.05 mm

長さ：

9.78 mm

タイプ：

RFバイポーラパワー

幅：

9.78 mm

ブランド：

STMicroelectronics

最大DCコレクタ電流：

8 A

Pd-消費電力：

70 W

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

40

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

SD127, SD12, SD1