ZTD09N50DE6QTA

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-26-6

トランジスタの極性：

NPN

構成：

デュアル

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

50 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

50 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

24 mV

最大DCコレクタ電流：

1 A

ゲイン帯域幅積fT：

215 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

ZTD09N50

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

200 at 10 mA, 2 V

Pd-消費電力：

700 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

資格：

AEC-Q101

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000529 oz

Tags

ZTD