NE678M04-A

製品属性

属性値

メーカー：

CEL

製品カテゴリ：

RFバイポーラトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

バイポーラ

テクノロジー：

Si

トランジスタの極性：

NPN

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

6 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

2 V

連続コレクタ電流：

0.1 A

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

構成：

独身

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-343

DC電流ゲインhFEMax：

150

動作周波数：

1.8 GHz

タイプ：

RFバイポーラ小信号

ブランド：

CEL

ゲイン帯域幅積fT：

12 GHz

Pd-消費電力：

205 mW

製品タイプ：

RFバイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NE678M, NE678, NE67, NE6