2N6517BU

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-92-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

350 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

350 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1 V

最大DCコレクタ電流：

0.5 A

ゲイン帯域幅積fT：

200 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

2N6517

DC電流ゲインhFEMax：

200

高さ：

4.7 mm

長さ：

4.7 mm

包装：

バルク

幅：

3.93 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター/フェアチャイルド

連続コレクタ電流：

0.5 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

Pd-消費電力：

625 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

10000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N6517BU_NL

単位重量：

0.006314 oz

Tags

2N6517, 2N651, 2N65, 2N6