PMD12K100

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-3-2

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

100 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

100 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

2 V

最大DCコレクタ電流：

8 A

ゲイン帯域幅積fT：

4 MHz

最高作動温度：

+ 150 C

DC電流ゲインhFEMax：

20000

包装：

トレイ

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

8 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

1000

Pd-消費電力：

100 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

PMD12K, PMD12, PMD1, PMD