IPB123N10N3 G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-263-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

58 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

10.7 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

35 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

94 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

4.4 mm

長さ：

10 mm

シリーズ：

OptiMOS 3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

タイプ：

OptiMOS 3 Power-Transistor

幅：

9.25 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

29 S

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

8 ns

ファクトリーパックの数量：

1000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

24 ns

典型的なターンオン遅延時間：

14 ns

パーツ番号エイリアス：

IPB123N10N3GATMA1 IPB123N1N3GXT SP000485968

単位重量：

0.139332 oz

Tags

IPB123N10N3, IPB123, IPB12, IPB1, IPB