BD810G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

1.1 V

最大DCコレクタ電流：

10 A

ゲイン帯域幅積fT：

1.5 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BD810

高さ：

15.75 mm

長さ：

10.53 mm

包装：

チューブ

幅：

4.83 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

連続コレクタ電流：

10 A

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

Pd-消費電力：

90 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.211644 oz

Tags

BD810, BD81, BD8