IXFX21N100F

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

RFMOSFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタの極性：

Nチャネル

テクノロジー：

Si

Id-連続ドレイン電流：

21 A

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

1000 V

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

500 mOhms

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-247-3

包装：

チューブ

構成：

1 N-Channel

高さ：

21.34 mm

長さ：

16.13 mm

幅：

5.21 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

15 S

チャネル数：

1 Channel

チャネルモード：

強化

立ち下がり時間：

15 ns

Pd-消費電力：

500 W

製品タイプ：

RFMOSFETトランジスタ

Qg-ゲートチャージ：

160 nC

立ち上がり時間：

16 ns

ファクトリーパックの数量：

30

サブカテゴリ：

MOSFET

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

3 V

単位重量：

0.158733 oz

Tags

IXFX21, IXFX2, IXFX, IXF