NE650103M-A

製品属性

属性値

メーカー：

CEL

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

MESFET

テクノロジー：

GaAs

利得：

11 dB

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

15 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 7 V

Id-連続ドレイン電流：

7 A

出力電力：

40 dBm

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

33 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

3M

包装：

バルク

動作周波数：

2.3 GHz

製品：

RF JFET

タイプ：

GaAs MESFET

ブランド：

CEL

P1dB-圧縮ポイント：

40 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

NE6501, NE650, NE65, NE6