DMT10H025SK3-13

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

MOSFET

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

7.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

23 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

21.4 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

12.9 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

ブランド：

組み込まれたダイオード

立ち下がり時間：

13.7 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

11.2 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

27.5 ns

典型的なターンオン遅延時間：

8.2 ns

単位重量：

0.002610 oz

Tags

DMT10H0, DMT10, DMT1, DMT