STS7NF60L

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

7.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

19.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

25 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2.5 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

STripFET

包装：

リール

高さ：

1.65 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

STS7NF60L

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET

幅：

4 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

13 S

立ち下がり時間：

20 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

27 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

47 ns

典型的なターンオン遅延時間：

15 ns

単位重量：

0.008113 oz

Tags

STS7NF, STS7N, STS7, STS