BSC196N10NS G

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TDSON-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

8.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

19.6 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

78 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

OptiMOS

包装：

リール

高さ：

1.27 mm

長さ：

5.9 mm

シリーズ：

OptiMOS 2

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

5.15 mm

ブランド：

インフィニオンテクノロジーズ

立ち下がり時間：

5 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

22 ns

ファクトリーパックの数量：

5000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

18 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

パーツ番号エイリアス：

BSC196N10NSGATMA1 BSC196N1NSGXT SP000379604

単位重量：

0.006632 oz

Tags

BSC196N10NSG, BSC196, BSC19, BSC1, BSC