SI3443DVTRPBF

製品属性

属性値

メーカー：

インフィニオン

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TSOP-6

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4.4 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

65 mOhms

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V

Qg-ゲートチャージ：

11 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

2 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

3 mm

トランジスタタイプ：

1 P-Channel

タイプ：

HEXFETパワーMOSFET

幅：

1.5 mm

ブランド：

インフィニオン/ IR

立ち下がり時間：

72 ns

感湿性：

はい

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

33 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

70 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns

パーツ番号エイリアス：

SP001563096

単位重量：

0.000705 oz

Tags

SI3443DVTR, SI3443DVT, SI3443DV, SI3443D, SI3443, SI344, SI34, SI3