STP80N70F4

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-220-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

68 V

Id-連続ドレイン電流：

85 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

8.2 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

90 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

150 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

シリーズ：

STP80N70F4

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

STMicroelectronics

立ち下がり時間：

25 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

36 ns

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

80 ns

典型的なターンオン遅延時間：

25 ns

単位重量：

0.063493 oz

Tags

STP80N70F, STP80N7, STP80N, STP80, STP8, STP