MMST5551-7

製品属性

属性値

メーカー：

組み込まれたダイオード

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

160 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

180 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

150 mV

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

300 MHz

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

MMST5551

DC電流ゲインhFEMax：

250

高さ：

1 mm

長さ：

2.2 mm

包装：

リール

幅：

1.35 mm

ブランド：

組み込まれたダイオード

連続コレクタ電流：

200 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30

Pd-消費電力：

200 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

単位重量：

0.000176 oz

Tags

MMST55, MMST5, MMST, MMS