BC858B TR

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-23-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

30 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

30 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

5 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

0.65 V

最大DCコレクタ電流：

200 mA

ゲイン帯域幅積fT：

100 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 150 C

シリーズ：

BC858B

DC電流ゲインhFEMax：

475 at 2 mA, 5 V

包装：

リール

ブランド：

セントラルセミコンダクター

連続コレクタ電流：

100 mA

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

220 at 2 mA, 5 V

Pd-消費電力：

350 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

BC858B PBFREE TR

Tags

BC858BT, BC858B, BC858, BC85, BC8