TGF3015-SM

製品属性

属性値

メーカー：

カーボ

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

HEMT

テクノロジー：

GaN SiC

利得：

17.1 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

32 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 2.7 V

Id-連続ドレイン電流：

557 mA

出力電力：

11 W

Pd-消費電力：

15.3 W

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

QFN-EP-16

包装：

トレイ

構成：

独身

動作周波数：

0.03 GHz to 3 GHz

ブランド：

カーボ

開発キット：

TGF3015-SM-EVB1

感湿性：

はい

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

100

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

1120419

Tags

TGF30, TGF3, TGF