Jan2N1893

製品属性

属性値

メーカー：

マイクロチップ

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-5-3

トランジスタの極性：

NPN

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

120 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

7 V

コレクター-エミッター飽和電圧：

500 mV

最大DCコレクタ電流：

100 mA

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 150mA, 10 VDC

包装：

バルク

ブランド：

マイクロチップ/マイクロセミ

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

40 at 150 mA, 10 VDC

Pd-消費電力：

800 mW

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

1

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

Jan2N189, Jan2N18, Jan2N1, Jan2N, Jan2, JAN