CSD16340Q3T

製品属性

属性値

メーカー：

テキサスインスツルメンツ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

N

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

VSON-Clip-8

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

25 V

Id-連続ドレイン電流：

60 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5.5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V, 8 V

Qg-ゲートチャージ：

9.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

3 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

NexFET

包装：

リール

高さ：

1 mm

長さ：

3.3 mm

シリーズ：

CSD16340Q3

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

3.3 mm

ブランド：

テキサスインスツルメンツ

フォワード相互コンダクタンス-最小：

121 S

立ち下がり時間：

5.2 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

16.1 ns

ファクトリーパックの数量：

250

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

13.8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

4.8 ns

単位重量：

0.001541 oz

Tags

CSD16340, CSD1634, CSD163, CSD16, CSD1, CSD