IXTZ550N055T2

製品属性

属性値

メーカー：

IXYS

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

DE-475-6

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

55 V

Id-連続ドレイン電流：

550 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

1 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

595 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

600 W

チャネルモード：

強化

商標名：

HiPerFET

包装：

チューブ

高さ：

3.18 mm

長さ：

21.08 mm

シリーズ：

IXTZ550N055

タイプ：

TrenchT2 GigaMOS Power MOSFET

幅：

23.11 mm

ブランド：

IXYS

フォワード相互コンダクタンス-最小：

95 S

立ち下がり時間：

230 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

40 ns

ファクトリーパックの数量：

20

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

90 ns

典型的なターンオン遅延時間：

45 ns

単位重量：

0.105822 oz

Tags

IXT