ALD910022SALI

製品属性

属性値

メーカー：

高度な線形デバイス

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOIC-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

10.6 V

Id-連続ドレイン電流：

1 uA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

2.2 MOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

2.18 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10.6 V

最低動作温度：

- 40 C

最高作動温度：

+ 85 C

Pd-消費電力：

500 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

チューブ

トランジスタタイプ：

2 N-Channel

ブランド：

高度な線形デバイス

製品タイプ：

MOSFET

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

10 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns

Tags

ALD91002, ALD91, ALD9, ALD