STS8C5H30L

製品属性

属性値

メーカー：

STMicroelectronics

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SO-8

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

5.4 A, 8 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

22 mOhms, 55 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

7 nC, 12.5 nC

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

1.6 W, 2 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

1.65 mm

長さ：

5 mm

シリーズ：

STS8C5H30L

トランジスタタイプ：

1 N-Channel Power MOSFET, 1 P-Channel Power MOSFET

タイプ：

MOSFET

幅：

4 mm

ブランド：

STMicroelectronics

フォワード相互コンダクタンス-最小：

8.5 S, 10 S

立ち下がり時間：

8 ns, 35 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

14.5 ns, 35 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

23 ns, 125 ns

典型的なターンオン遅延時間：

12 ns, 25 ns

単位重量：

0.002998 oz

Tags

STS8C5, STS8C, STS8, STS