NTJD4105CT2G

製品属性

属性値

メーカー：

オン・セミコンダクター

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-363-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

27 V, 10.5 V

Id-連続ドレイン電流：

630 mA, 775 mA

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

290 mOhms, 220 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

920 mV, 830 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

12 V, 8 V

Qg-ゲートチャージ：

1.3 nC, 2.2 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

270 mW

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

包装：

リール

高さ：

0.9 mm

長さ：

2 mm

製品：

MOSFET小信号

シリーズ：

NTJD4105C

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

タイプ：

MOSFET

幅：

1.25 mm

ブランド：

オン・セミコンダクター

フォワード相互コンダクタンス-最小：

2 S

立ち下がり時間：

506 ns, 36 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

227 ns, 23 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

786 ns, 50 ns

典型的なターンオン遅延時間：

83 ns, 13 ns

単位重量：

0.000265 oz

Tags

NTJD4105, NTJD410, NTJD41, NTJD4, NTJD, NTJ