TK6R7P06PL,RQ

製品属性

属性値

メーカー：

東芝

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

TO-252-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

60 V

Id-連続ドレイン電流：

74 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

5 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

1.5 V

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

20 V

Qg-ゲートチャージ：

26 nC

最高作動温度：

+ 175 C

Pd-消費電力：

66 W

構成：

独身

チャネルモード：

強化

包装：

リール

シリーズ：

TK6R7P06PL

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

ブランド：

東芝

立ち下がり時間：

10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

5 ns

ファクトリーパックの数量：

2500

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

35 ns

典型的なターンオン遅延時間：

16 ns

単位重量：

0.007055 oz

Tags

TK6R, TK6