PSMN8R5-100ESQ

製品属性

属性値

メーカー：

Nexperia

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-262-3

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

100 V

Id-連続ドレイン電流：

100 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

22.6 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

4 V

Qg-ゲートチャージ：

111 nC

Pd-消費電力：

263 W

包装：

チューブ

ブランド：

Nexperia

立ち下がり時間：

43 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

35 ns

ファクトリーパックの数量：

50

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

87 ns

典型的なターンオン遅延時間：

20 ns

単位重量：

0.084199 oz

Tags

PSMN8R5-100E, PSMN8R5-100, PSMN8R5-1, PSMN8R5, PSMN8, PSMN, PSM