ATF-54143-TR1G

製品属性

属性値

メーカー：

Broadcom Limited

製品カテゴリ：

RFJFETトランジスタ

JBoss：

Y

トランジスタタイプ：

EpHEMT

テクノロジー：

GaAs

利得：

16.6 dB

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

5 V

Vgs-ゲート-ソース間降伏電圧：

- 5 V to 1 V

Id-連続ドレイン電流：

120 mA

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

725 mW

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-343

包装：

リール

構成：

シングルデュアルソース

動作周波数：

2 GHz

製品：

RF JFET

タイプ：

GaAs EpHEMT

ブランド：

Broadcom / Avago

フォワード相互コンダクタンス-最小：

410 mmho

NF-雑音指数：

0.5 dB

P1dB-圧縮ポイント：

20.4 dBm

製品タイプ：

RFJFETトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

トランジスタ

Tags

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