SIA519EDJ-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

PowerPAK-SC70-6

チャネル数：

2 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル、Pチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

20 V

Id-連続ドレイン電流：

4.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

40 mOhms, 90 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV, 500 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

4.5 V

Qg-ゲートチャージ：

3.7 nC, 5.3 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

7.8 W

構成：

デュアル

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET、PowerPAK

包装：

リール

高さ：

0.75 mm

長さ：

2.05 mm

シリーズ：

SIA

トランジスタタイプ：

1 N-Channel, 1 P-Channel

幅：

2.05 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

12 S, 7 S

立ち下がり時間：

16 ns, 10 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

21 ns, 25 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

12 ns, 20 ns

典型的なターンオン遅延時間：

10 ns, 20 ns

パーツ番号エイリアス：

SIA519EDJ-GE3

単位重量：

0.000988 oz

Tags

SIA519E, SIA519, SIA51, SIA5, SIA