2N6190

製品属性

属性値

メーカー：

セントラルセミコンダクター

製品カテゴリ：

バイポーラトランジスタ-BJT

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

スルーホール

パッケージ/ケース：

TO-39-3

トランジスタの極性：

PNP

構成：

独身

コレクター-エミッター電圧VCEOMax：

80 V

コレクター-ベース電圧VCBO：

80 V

エミッタ-ベース電圧VEBO：

6 V

最大DCコレクタ電流：

5 A

ゲイン帯域幅積fT：

30 MHz

最低動作温度：

- 65 C

最高作動温度：

+ 200 C

シリーズ：

2N6190

DC電流ゲインhFEMax：

120 at 2 A, 2 V

包装：

バルク

ブランド：

セントラルセミコンダクター

DCコレクター/ベースゲインhfe最小：

30 at 2 A, 2 V

Pd-消費電力：

10 W

製品タイプ：

BJT-バイポーラトランジスタ

ファクトリーパックの数量：

500

サブカテゴリ：

トランジスタ

パーツ番号エイリアス：

2N6190 PBFREE

Tags

2N619, 2N61, 2N6