SI1308EDL-T1-GE3

製品属性

属性値

メーカー：

ビシェイ

製品カテゴリ：

MOSFET

JBoss：

Y

テクノロジー：

Si

取り付けスタイル：

SMD / SMT

パッケージ/ケース：

SOT-323-3

チャネル数：

1 Channel

トランジスタの極性：

Nチャネル

Vds-ドレイン-ソース間降伏電圧：

30 V

Id-連続ドレイン電流：

1.5 A

Rds On-ドレイン-ソース抵抗：

132 mOhms

Vgs th-ゲート-ソースしきい値電圧：

600 mV

Vgs-ゲート-ソース間電圧：

10 V

Qg-ゲートチャージ：

2.7 nC

最低動作温度：

- 55 C

最高作動温度：

+ 150 C

Pd-消費電力：

500 mW

構成：

独身

チャネルモード：

強化

商標名：

TrenchFET

包装：

リール

高さ：

1.1 mm

長さ：

2.1 mm

シリーズ：

SI1

トランジスタタイプ：

1 N-Channel

幅：

1.25 mm

ブランド：

Vishay / Siliconix

フォワード相互コンダクタンス-最小：

5 S

立ち下がり時間：

8 ns

製品タイプ：

MOSFET

立ち上がり時間：

9 ns

ファクトリーパックの数量：

3000

サブカテゴリ：

MOSFET

典型的なターンオフ遅延時間：

8 ns

典型的なターンオン遅延時間：

2 ns

パーツ番号エイリアス：

SI1300BDL-T1-GE3 SI1304BDL-T1-GE3

単位重量：

0.000176 oz

Tags

SI1308E, SI1308, SI130, SI13, SI1